RT~1200℃快速升温｜华测仪器 Huace-1200G 真空晶圆退火炉工艺应用解析

RT~1200℃快速升温｜华测仪器 Huace-1200G 真空晶圆退火炉工艺应用解析

华测仪器 Huace-1200G 真空晶圆退火炉，是为半导体晶圆高温热处理工艺而设计，设备可在高真空密闭腔体内完成退火、回火、晶化等热处理工序，可减少样品在高温环境下发生氧化、表面污染等问题，保障材料处理后的电学与物理性能。

设备搭载高准度 PID 闭环温度控制系统，温度区间覆盖室温 RT~1200℃，升温速率可达 100℃/s，控温精度可达 ±1℃，可实现温度均匀性，满足半导体工艺对温度稳定性、重复性的严苛要求。

真空系统由机械泵 + 分子泵组合构建，可实现10⁻³Pa~10⁻⁶Pa高真空工作环境，减少空气杂质干扰，为热处理提供洁净无氧工艺氛围。硬件适配 6 寸标准半导体晶圆，同时兼容 150×150mm 规格方形试样，样品适配范围广。

该设备普遍适用于硅晶圆退火处理、半导体电子功能材料、陶瓷功能材料等多个研究与生产场景，可服务于实验室新材料研发、小批量工艺试制，助力工艺人员开展材料改性、薄膜晶化等相关实验与工艺验证工作。