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2020-08-24

一、主要特点:1、能根据薄膜的使用宽度进行电弱点的测试,测试宽度可根据用户的要求而设定,无须将膜分切成小卷,免除了许多外来因素对测试结果的影响。2、测试数据能真实地反映薄膜的质量水平。3、主要元器件均选用进口品牌(如欧姆龙,美信,ABB等),有效地保证了设备的可靠性、耐用性和稳定性。4、测量准确,复现性好。5、测试过程采用电子技术全自动控制,遇到电弱点时电压切断动作迅速。6、击穿电流在0~40mA连续可调,复现性好。7、多重保护功能,充分考虑了操作人员及设备的安全性。8、过压...

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2020-08-24

据国家标准《GB/T13541-92电气用塑料薄膜试验方法》,电气用塑料薄膜要求进行电弱点测试,在给定直流电压下每平方米的击穿点(电弱点)数成为衡量薄膜成量的重要指标,那如何进行测试呢?此时就用到了电弱点测试仪。电气用塑料薄膜电弱点测试仪,无须将膜卷分切成小卷,根据薄膜的使用宽度直接进行电弱点测试。由于薄膜在生过程中极易引起纵向划伤,该仪器首次引用“电弱线”概念,即在规定的时间内检测到的试样漏电流均超过1mA时,认定为该薄膜试样在生产过程中存在纵向划痕...

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2020-08-21

在光电子学及其它高技术的发展中,薄膜材料占有重要的地位。铁电薄膜具有电光效应、非线性光学效应、压电效应和热释电效应等多种特性,又具有便于平面化和集成化的特点,因而特别受到人们的重视。现在广为研究的铁电薄膜是PbTiO3(PT)、Pb1-xLaTi1-x/4O3(PLT)、PZT、PLZT、LiNbO3、Bi4Ti3O12和BaTiO3。制备方法有电子束蒸镀、离子束溅射、射频磁控溅射、射频二极溅射、金属有机化学气相淀积和金属有机热分解法等。为了充分发掘铁电薄膜的功能,希望薄膜是...

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2020-08-20

临界负温热敏材料以VO2为基本成分的多晶半导体材料,在68℃附近电阻值发生突变,在狭小的温区内,电阻值随温度的增加而降低3~4个数量级,具有很大的负温度系数。阻值突变的温度称为临界温度Tc,不同的材料其临界温度Tc不同,如V2O3的临界温度为-100℃,Fe304为-150℃,VO2为68℃,Ti305为175℃,V305为140℃。Tc可以通过掺入适当的杂质提高或降低,如在V305中掺入Ge可将其TC降到100~140℃之间,掺入2%的Ge,可使Tc降到120℃左右。在临界...

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2020-08-20

PTC热敏陶瓷1950年荷兰Hayman等人,在BaTiO3材料中掺入微量元素,如Sb,La,Sm,Gd,Ho等,其常温电阻率下降到10-2~104cm。与此同时当温度超过材料的居里温度,在几十度温度范围内,其电阻率增大4~10个数量级,即产生所谓PTC效应。BaTiO3是一种典型的钙钛矿结构。BaTiO3系半导体陶瓷的制造方法与一般的电子陶瓷材料基本相同。只是对原材料的纯度、掺杂成分的均匀性及工艺过程的控制有较高的要求。持别是BaTiO3半导体陶瓷与金属银电极的接触面电阻可...

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2020-08-19

半导体的导电,主要是由电子和空穴造成的。温度增加,使电子动能增大,造成晶体中自由电子和空穴数目增加,因而使电导率升高。通常情况下电导率与温度的关系为电阻率与温度的关系为式中,B为与材料有关的常数,表示材料的电导活化能。某些材料的B值很大,它在感受微弱温度变化时电阻率的变化十分明显。有一类半导体陶瓷材料,在特定的温度附近电阻率变化显著。如“掺杂”的BaTiO3(添加稀土金属氧化物)在其居里点附近,当发生相变时电阻率剧增103~106数量级。利用半导体陶瓷...

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2020-08-18

半导体的能带结构如图4.2-23所示,下面是已被价电子占满的允带,中间为禁带,上面是空带。因此,在外电场作用下不能导电,但是这是绝对零度时的情况。当外界条件发生变化时,例如温度升高和有光照射时,满带中有少量电子有可能被激发到上面的空带中去,在外电场作用下,这些电子将参与导电。同时,满带中由于少了一些电子,在满带顶部附近出现了一些空的量子状态,满带变成了部分占满的能带,在外电场的作用下,仍留在满带中的电子也能够起导电作用。满带电子的这种导电作用等效于把这些空的量子状态看作带正电...

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