半导体晶圆热处理设备 — Huace-800G 真空晶圆退火炉

在半导体与晶圆工艺升级进程中，退火工序是平复晶格瑕疵、释放薄膜应力、优化器件电学性能与良率的关键环节。华测仪器针对晶圆热处理需求，推出Huace-800G 真空晶圆退火炉，适用于高洁净、高准度的半导体晶圆高温热处理场景打造。

该设备在高真空环境下对半导体晶圆进行准确高温热处理，隔绝氧化、污染与杂质附着，为工艺进程提供洁净的工艺环境。整机采用红外反射式加热技术，热效率高、热响应快，温度覆盖RT~1250℃，升温速率上限可达100℃/s，可满足多元工艺需求。

设备搭载真空系统，可实现10^-3Pa~10^-6Pa真空度，全程隔绝空气与有害杂质，减少晶圆表面污染与瑕疵。设备采用PID温度控制，同时采用移相触发技术确保试验温度，控温精度达 ±1℃，实现晶圆级温度均匀性，确保整片晶圆受热一致、工艺重复性优异。

在适配性方面，设备标准兼容6英寸晶圆，同时支持150×150mm样品，兼顾科研实验与小批量量产需求。

凭借高性能真空、升降温、高温控精度与良好兼容性，Huace-800G 普遍应用于硅晶圆、半导体、电子材料、陶瓷材料等领域，可支撑离子注入退火、金属硅化物形成、应力消除等工艺，是半导体器件研发、功率器件制造等材料的热处理装备。