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铁电存储器的基本存储单元的构成

日期:2021-01-29浏览:411次

铁电存储器的基本存储单元一般有两结构,分别为 1T1COne transistor one capacitance)结构和 2T2C Two transistor two capacitance)结构,如图 2-3 所 示。前者使用一个晶体管及一个铁电电容组成一个存储单元,而后者则各为两个。1T1C 结构的优点是能够非常大的节省存储单元所占芯片面积,但是该结构会导致阵列中位线(Bit Line)的电压差变低,读出时对灵敏放大器的要求会更高;2T2C 结构虽然会使用更大的面积,但是由于每个存储单元都含有两个铁电电容,其阵列中两根位线上的电压差会更大,读出时准确性会更高。

 

在本文中,我们采用 2T2C 型存储单元作为我们设计的铁电存储器的基本存储单元。2T2C 结构由两个晶体管和两个铁电电容组成,其连接方式如图 2-3 右图所示,该存储单元包含 根与外部连接的信号。其中 WLWord Line)为字线,连接到两个晶体管的栅极,用于控制两个 NMOS 晶体管的开关;BLBLN 为位线,用于向存储单元中写入或读出数据;PLPlate ine)为板线,连接到铁电电容的一极,用于给铁电电容充电使其极化;Fcap1 与 Fcap2 是两个铁电电容,其一极共同连接至 PL,另一极分别与两个 NMOS 相连,当 WL 开启时,这一极便可以与位线导通。

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